使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

发布时间:2018-05-04 13:53:07     浏览:1510

Kanika Saini,Sanjay Raman,Amin K. Ezzeddine,Ho C Huang:使用具有独立栅极偏置控制的并联晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强。

GaN HEMT具有较高的输出功率密度和较宽的带宽效率。但是,GaN HEMT的线性典型地比GaAs器件的线性更差。本文提出了一种简单的方法来提高GaN HEMT的线性度。所提出的方法是将器件分成与独立控制的栅极偏置电压并联的多个子单元,然后将功率合并为子单元输出。原型放大器..

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